Импортозамещение в сегменте СВЧ-микросхем. Разумный подход

Решение проблемы импортозамещения в условиях экономических санкций и модернизация отечественной экономики в направлении приоритетного развития высокотехнологичных отраслей приводит к увеличению объема внутреннего рынка электронной техники.

Это, в свою очередь, требует наращивания объемов отечественной электронной компонентной базы (ЭКБ) новых технологических уровней.

 

Авторы:  О.В. Власов, А.С. Коротков

 

Создаваемая на предприятиях и в университетах сеть дизайн-центров по проектированию микросхем позволяет существенно увеличить объем отечественных разработок ЭКБ.

Дизайн-центр проектирования интегральных схем, который является структурным подразделением АО «ВНИИРА» (Санкт-Петербург), в последнее время сделал существенный прорыв в развитии ключевых направлений построения микро- и наноэлектронной компонентной базы для приемопередающих устройств и устройств обработки сигналов беспроводных систем с ориентацией на изготовление на основе полупроводниковых материалов группы А3В5 с разрешением 150 нм и по кремниевой КМОП-технологии с разрешением 180 нм и менее.

Дизайн-центром разработаны узкополосные и широкополосные СВЧ усилители, смесители и генераторы опорных колебаний для высокочастотного тракта приемников и передатчиков беспроводных систем, в том числе С и Х-диапазонов частот радиолокационных систем; микроэлектронные фильтры и усилители, аналого-цифровые преобразователи параллельного типа и на основе дельта-сигма модуляторов для низкочастотных трактов приемника; интегральные схемы синтезаторов частот с дробным коэффициентом деления. Кроме того, сотрудниками центра ведутся исследования в области построения базовых цифровых блоков с малой потребляемой мощностью для систем обработки сигналов и термоэлектрических преобразователей на основе эффекта Зеебека для устройств автономного питания. Дизайн-центром успешно выполняются проекты по заказам предприятий отечественной и зарубежной промышленности и по Федеральным целевым программам.

Положительных результатов дизайн-центр смог достичь благодаря продуктивной совместной работе с университетами, оснащенности современным оборудованием, которое позволяет проводить полный цикл проектирования и тестирования разработанных микросхем. Для моделирования и оптимизации разрабатываемых микросхем на транзисторном уровне и на уровне компоновки кристалла используются лицензионные программные платформы. Изготовление интегральных схем проводится как на полупроводниковых фабриках-изготовителях юго-восточной Азии, так и на предприятиях Зеленограда. Оборудование центра включает зондовые станции, векторные анализаторы цепей и анализаторы спектра, разварочные станции и другую необходимую для тестирования микросхем аппаратуру. Для автоматизации процессов измерений также используются соответствующие программные платформы.

Для выполнения работ центром привлекаются высококвалифицированные сотрудники, в том числе два доктора и пять кандидатов наук, включая ученых санкт-петербургских вузов. Опыт профессиональной деятельности основных сотрудников центра составляет от 10 лет и более.

Накопленный многолетний опыт, высокая квалификация специалистов и передовое оснащение позволяют дизайн-центру АО «ВНИИРА» предлагать заказчикам как отдельные высококачественные и наукоемкие разработки, так и комплексные решения, демонстрируя готовность российских предприятий к достойной реализации политики импортозамещения.

 

ВНИИРА АО

Площадь кристалла составляет 1,6 кв. мм.
Усилитель обладает следующими характеристиками: максимальное значение модуля коэффициента усиления по напряжению 9,7 дБ; коэффициент шума от 5,4 до 7,0 дБ; потребляемая мощность составляет не более 30 мВт; полоса частот усиления по результатам эксперимента составила от 2,0 до 7,5 ГГц, полоса согласования от 2,4 до 8,4 ГГц.

Микрофотография кристалла широкополосного малошумящего усилителя

 

 

ВНИИРА АО

Площадь кристалла составляет 0,8 кв. мм. Диапазоны перестройки генераторов,
управляемых напряжением, составили 3,37–4,59 ГГц, 6,33–8,40 ГГц и 7,87–10,23 ГГц. Потребляемая мощность ГУН изменяется от 5,0 до 9,5 мВт в зависимости от поддиапазона частот.

 

Микрофотография кристалла генератора, управляемого напряжением

 

 

АО «ВНИИРА»
199106, Санкт-Петербург, 
Шкиперский пр., д. 19
Тел. +7(812) 356-06-11
Факс +7(812) 352-37-55
info@vniira.ru
www.vniira.ru

Комментариев еще нет.

Оставить комментарий

Вы должны войти Авторизованы чтобы оставить комментарий.

Партнеры